• 845DC EVO 960GB评测
  • 845DC PRO 800GB评测

CrystalDiskMark软件是一个测试你的硬盘或者存储设备的小巧工具,简单易于操作的界面让你随时可以测试你的存储设备,测试存储设备大小和测试数字都可以选择,还可测试可读和可写的速度。 测试小结:三星845DC EVO 960GB表现符合了定位,其持续读写速度542/439 MB/s,读取性能出色,而写入性能一般。另外,随机4K (QD1)读写性能也达到35/110 MB/s的不俗水平,与840EVO互有胜负,但是领先M500。如果我们用主流的机械硬盘去比较,那机械硬盘简直被秒杀了。

AS SSD Benchmark是一款专门的固态硬盘基准性能测试,它的测试内容很全面,包括了4个方面的测试(顺序读写、4K随机读写、64线程4K读写、寻道时间)。在测试中,测试文件的大小为1G Byte。通过AS SSD Benchmark的测试,可以很全面的了解一款SSD的性能。 测试小结:在AS SSD Benchmark测试中,三星845DC EVO 960GB的表现却显得一般了,读写速度与840EVO相比还要落后,最大随机4K IOPS读写为62K与79k,落后840EVO以及M500。

ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件,使用了不同大小的数据测试包,数据包按0.5K、1.0K、 2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试,测试完成后数据用柱状图的形式表达出来,很好的说明了文件大小比例不同对磁盘速度的影响。 测试小结:ATTO测试中,印证了三星845DC EVO 960GB的定位,强调读取性能,读取性能比840EVO以及M500更好,但写入性能却很一般,均落后两个对比产品。

本环节采用PC Mark 7中的Storage存储测项目项单独测试PC的存储子系统性能,并给出得分。PC Mark 7在存储测试环节针对了SSD进行优化,能很好反应SSD实际性能。测试项目:杀毒软件测试;图片导入;视频编辑;.Windows Media Center;添加音乐;游戏启动程序。 测试小结:PCMark7测试可以较为真实反应SSD的实际应用性能,三星845DC EVO 960GB的表现与840EVO基本持平,具体稍微落后,但领先M500。

CrystalDiskMark软件是一个测试你的硬盘或者存储设备的小巧工具,简单易于操作的界面让你随时可以测试你的存储设备,测试存储设备大小和测试数字都可以选择,还可测试可读和可写的速度。 测试小结:三星845DC PRO 800GB的读写速度没有明显差别,十分特别。另外,随机4K(QD1)读写性能达到37/118MB/s的不俗水平,两项测试均领先845DC EVO。尤其在写入性能上,大幅领先840EVO与M500。如果我们用主流的机械硬盘去比较,那机械硬盘简直被秒杀了。

AS SSD Benchmark是一款专门的固态硬盘基准性能测试,它的测试内容很全面,包括了4个方面的测试(顺序读写、4K随机读写、64线程4K读写、寻道时间)。在测试中,测试文件的大小为1G Byte。通过AS SSD Benchmark的测试,可以很全面的了解一款SSD的性能。 测试小结:在AS SSD Benchmark测试中,三星845DC PRO 800GB的成绩均优胜与三星845DC EVO 960GB,读取性能在测试产品中排在第一,不过写入速度就强差人意了。最大随机4K IOPS读写为68K与91k,读取性能最好而写入性能一般。

ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件,使用了不同大小的数据测试包,数据包按0.5K、1.0K、 2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试,测试完成后数据用柱状图的形式表达出来,很好的说明了文件大小比例不同对磁盘速度的影响。 测试小结:ATTO测试中,三星845DC PRO 800GB的读取性能依然彪悍,达到了561MB/s。但写入性能却落后840EVO,可见它依然定位在大数据频繁读取的企业环境上。

本环节采用PC Mark 7中的Storage存储测项目项单独测试PC的存储子系统性能,并给出得分。PC Mark 7在存储测试环节针对了SSD进行优化,能很好反应SSD实际性能。测试项目:杀毒软件测试;图片导入;视频编辑;.Windows Media Center;添加音乐;游戏启动程序。 测试小结:PCMark7测试可以较为真实反应SSD的实际应用性能,三星845DC PRO 800GB终于扬眉吐气一把,领先所有参与评测的产品。

使用业界领先的 3D V-NAND SSD
大幅提高性能

845DC PRO 配备了尖端的 Samsung 3D V-NAND 闪存,它采用创新性的垂直体系结构,由 24 个单元层相互堆叠而成,取代了试图通过缩小每个单元的长度和宽度来适应当前日趋小型化外形的旧有做法。利用这一技术,硬盘占用面积更小,密度更紧凑且性能更高,并突破了传统的平面 NAND 架构的密度限制。