什么是 3D V-NAND?它与现有技术有什么不同?
三星独一无二的创新性 3D V-NAND 闪存架构是一项巨大突破,克服了传统平面 NAND 架构的密度、性能和耐久性局限。3D V-NAND 的架构设计通过让 32 个芯片层彼此垂直堆叠,而不是缩减芯片尺寸并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间,因此使得密度更高,性能更好,而占用的空间更小。
更好的能效,更长时间的使用时间,一切都有 3D V-NAND 做后盾
850 EVO 现带有一个已针对 3D V-NAND 做过优化的控制器,让设备在进入休眠状态后可以控制在 2mW 超高能效下,大大延长了您的笔记本电脑的电池寿命。与 840 EVO 相比,850 EVO 的写入操作过程*可以省电超过 25%,这一切都归功于卓越的 3D V-NAND 技术,它的功耗只有平面 2D NAND 的一半。
*功耗(250GB):3.2 瓦 (840 EVO) > 2.4 瓦 (850 EVO)
TurboWrite 技术带来无可匹敌的读写速度,优化日常计算性能
借助三星的 TurboWrite 技术,实现终极读写性能,最优化您的日常计算体验。相比 840 EVO*,您不仅可以获得超过 10% 的用户体验提升,而且 120/250 GB 型号** 的随机写入速度最高可以提速 1.9 倍。850 EVO 可以提供一流的顺序读取 (540 MB/s) 和写入 (520 MB/s) 性能。此外,在客户端 PC 使用情况下,您可以获得针对全部 QD 的优化的随机性能。
*PCmark7(250GB ):6700(840 EVO) > 7600(850 EVO)
增强的 RAPID 模式带您进入性能快车道
通过三星Magician 软件,将未使用的 PC 内存 (DRAM) 用作高速缓存,使得在 Rapid 模式下在系统级别上的数据处理速度* 提升 2 倍,从而随时实现性能加速。配备 16 GB DRAM 时,最新版的 Magician 可以将先前 840 EVO 版本在 Rapid 模式下的最大内存使用从 1 GB 增加到 850 EVO 版本中的最大 4 GB。您还可以在所有随机队列深度下获得2 倍的性能*提升。
*PCMARK7 RAW(250GB):7500 > 15000(Rapid 模式)
3D V-NAND 技术为耐久性和可靠性带来保障支持
与上一代的 840 EVO** 相比,850 EVO 的 TBW* 翻倍,且可以提供业内领先的 5 年质保,因此可以提供耐用性和可靠性保障。对比 840 EVO,850 EVO 可以最小化性能下降,从而带来高达 30% 的稳定性能提升,业已证明是值得依赖的存储设备***。
*TBW:已写入的总字节数
**TBW:43(840 EVO) > 75(850 EVO 120/250GB),150(850 EVO 500/1TB)
***稳定的性能 (250GB):3300 IOPS(840 EVO) > 6500 IOPS(850 EVO),经过12 小时"随机写入"测试得出的性能数据
对于许多人来说,他们的个人或工作数据已经成为他们生活的主宰。基于此,T1采用AES 256位加密算法,内置高级安全防护,可确保珍贵数据的安全。它简单易用,可以使用一个密码进行访问。T1坚若磐石,不含移动部件,与其他内含敏感移动部件的存储设备相比,拥有更好的抗冲击性,并能承受更高的振动。除此之外,它还能抵抗高温,坚固安全,便于您随身携带。
* 冲击:T1-1500G/0.5ms
振动:T1-20G
有一种新方式可将您的个人和工作数据一直携带在身边。听说过T1吗?它是一款采用V-NAND技术的便携式SSD,性能强大,安全可靠,外形炫酷,体积小巧,可媲美商务名片,移动便携。在当今数字世界中,T1能充分满足您移动办公所需。
让您的移动办公绽放时尚魅力,彰显真我风采。T1拥有高端圆润设计,纤薄轻巧, 时尚便携。此外,它还拥有激光图案及黑色镀铬金属外观设计。
即使是T1的专用线缆也拥有炫黑时尚质感,让您轻松化身时尚达人。
在日常生活和工作中,为何要苦苦等待数据处理呢?拥有我们的 T1 便携式SSD,您可以获得 TurboWrite 技术提供的高达 450 MB/s* 的超快读写速度。因此,您不必再等待。T1与外置HDD进行对比测试时,传输速度快3~7倍**。这意味着您在移动或检索电影、照片或应用程序等文件时,可节省自己的宝贵时间。
*性能基准产品:T1(500GB)
**用户情景测试(10MB 照片 500 张/传输):T1(500GB)- 10 秒/外置HDD(500GB)- 65 秒